Descrierea proiectului
Proiectul N-IBCell, urmareste fabricarea celulelor solare cu banda intermediara de eficienta inalta (IBSCs). Acestea sunt celule solare proiectate sa absoarba de asemenea fotoni cu energia mai mica decat a benzii interzise prin intermediul unei benzi de energie electronica care este localizata in interiorul benzii interzise a semiconductorului gazda, producand astfel fotocurent imbunatatit mentinand ideal in acelasi timp fotovoltajul dat de banda interzisa a materialului fotovoltaic gazda. [mai multe detalii]
|
|
Noutati/ Evenimente/ Rezultate/ Progresul proiectului
- "Achievements and Futures steps", Bucuresti, Romania 10 decembrie 2015, Pliant proiect (1)
- CAS 2016: International Semiconductor Conference”, Sinaia, Romania, 10-12 octombrie 2016, Pliant proiect (2)
- Nobel Prize in Physics for III-nitride pioneers (EN) [more details]............................ |
Obiective
- Cresterea, tratamentul si caracterizarea materialului Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs acordat in retea cristalina substratul si cu banda interzisa inginerizata (x»3y), avand proprietati electrice si optice imbunatatite semnificativ corespunzatoare obtinerii unei eficiente de conversie inalte (in cazul ideal, aproape de valorile teoretice) atunci cand sunt integrate intr-o celula solara cu banda intermediara.
- Proiectarea, cresterea, procesarea si caracterizarea IBSC continand aliaje GaInNAs/GaAs inginerizate prezentand fotocurenti semnificativ imbunatatiti cu cadere minima in fotovoltaj.
- Cresterea si caracterizarea aliajelor calitative pentru dispozitive de forma BzInxGa1-x-zN/GaN cu B diluat si continut de In (z≤5%, x<20%), precum si aranjamente (dispuneri) de In(Ga)N/BInGaN/InGaN QDs cu “strain” inginerizat pentru aplicatii IBSC.
- Proiectarea, cresterea, fabricarea si caracterizarea celulelor solare cu banda intermediara pe substrat de GaN avand straturi multiple In(Ga)N/BInGaN/InGaN QDs inginerizate in banda interzisa si “strain”, cu fotocurenti imbunatatiti si cadere de fotovoltaj minima.
[mai multe detalii]
|
|
Rezultate estimate
- Tehnologie inovativa pentru imbunatatirea proprietatilor optice si de transport a aliajelor de nitruri diluate (N≤1%) cuaternare acordate in retea GaInNAs/GaAs prin iradiere cu electroni urmata de tratament termic.
- Tehnologie inovativa pentru cresterea prin MBE de straturi epitaxiale BInGaN/GaN de inalta calitate avand continut de bor pana la 5% si continut de indiu < 20%.
- Modele experimentale si functionale de celule IBCS bazate pe GaInNAs cu eficienta de conversie imbunatatita.
- Modele experimentale si functionale de celule solare cu banda intermediara cu In(Ga)N/BInGaN/GaN QD cu strain inginerizat si cu eficiente de conversie imbunatatite.
Date generale despre proiect:
- Numarul proiectului: RO14-0010
- Durata proiectului: 1.07.2014-30.04.2017
- Bugetul proiectului: 838.900 Euro
- Confinantare NTNU: 193.887 Euro
- Aria tematica: Energie regenerabila
|
Impactul socio-economic si de mediu al proiectului
Rezultatele proiectului vor conduce la imbunatatirea calitatii vietii sub diferite aspecte (social, economic, de mediu) si pentru diferite perspective de timp.
- Pe termen scurt- proiectul va genera noi locuri de munca si va conduce la cresterea calitatii vietii.
- Pe termen mediu- proiectul asigura securitatea aprovizionarii cu energie electrica.
- Pe termen lung- proiectul va asigura conservarea mediului.
[mai multe detalii] |
