Incercand sa creasca eficienta celulelor solare, comunitatea de cercetari fotovoltaice (PV) cauta deasemenea sa reduca costurile de fabricatie (0.25-0.5 Euro/Wp) prin folosirea de substraturi ieftine cu diamatre mari din materiale care sunt disponibile din abundenta pe pamant, ca de pilda siliciu. O adevarata integrare monolitica a structurilor semiconductoare III-V cu siliciu receptioneaza un mare interes deoarece permite simultan eficienta inalta si costuri de productie scazute. Aliajele din nitruri ale grupului III, ca InGaN, au unicul avantaj al celei mai largi ajustari de benzi interzise directe de la 0.65 eV (InN) la 3.42 eV (GaN). Comparand cu Si, GaAs, CuInGaSe, sau Ge, este unicul sistem de semiconductorit care furnizeaza o perfecta potrivire cu spectrul solar (0.5 la 4 eV), deschizand o interesanta oportunitate pentru celule tandem de inalta eficienta. Astfel, eforturi multiple au fost dedicate pana acum folosirii InGaN ca absorber in celule solare pe Si. Totusi, in ciuda rezultatelor provocatoare, folosirea InGaN ca un veritabil material PV este inca in stadiile primare datorita in principal deteriorarii severe a calitatii materialului la incorporarea de In in concentratii mari necesare obtinerii de banda interzisa mica in celula tandem. Abordarea noastra vine sa atenueze acest neajuns in dezvoltarea celulelor solare InGaN/AlN/Si prin propunerea unui inovative material BGaN capabil sa fie compatibil in retea cu AlN, permitand si o reducere a benzii interzise