Obiectivul proiectului va fi fabricarea unui component de tip „energy harvester” pentru aplicatii 5G in banda 24-26 GHz, pentru care aceste sisteme de colectare de energie electromagnetica inca nu au fost optimizate si, mai mult de atat, inca nu exista o abordare prietenoasa cu mediul care sa fie in acelasi timp compatibila cu procesele de tip CMOS. Acest aspect din urma constituie una dintre tintele proiectului NANO-EH, care isi propune sa puna baza tehnologica pentru o exploatare pe scara larga a diverselor surse de energie din mediul inconjurator, astfel creand sisteme de telecomunicatii inteligente si autonome din punctul de vedere energetic. Pe cand proiectarea antenei va urmari concepte clasice de elemente radiante planare cu performante ridicate in termeni de eficienta de radiatie si castig, elementul cheie pentru rectena va fi dioda. In detaliu, materialele feroelectrice pe baza de oxid de hafniu sunt potrivite pentru diode verticale de tip MIM (Metal-Izolator-Metal) cu frecventa de taiere de ordinul zecilor (pana la sute) de GHz, cu o arie extrem de redusa (pana la sute de nanometri patrati) si grosimi de ordinul nanometrilor. Pe de alta parte, materialele bidimensionale precum disulfura de molibden (MoS2) vor fi utilizate pentru fabricarea unor diode planare geometrice cu noi performante in ceea ce priveste detectarea semnalelor de microunde.