Rezultate

Caracterizare arii de antene suspendate pe membrana dielectrica subtire microprelucrata pentru front-end-ul de 94 GHz  utilizat in imagistica pasiva

IMT a participat la investigarea structurilor de antene suspendate pe membrane subtiri dielectrice; structurile de antene sunt elemente cheie in cadrul blocurilor componente ale front-end-ului de mare sensibilitate, pentru 94 GHz, utilizat in imagistica pasiva. Retele de antene slot dublu foldat sunt compuse din doua, respective trei elemente
Antenele au fost investigate pentru doua tipuri de substrat tehnologic: siliciu de inalta rezistivitate avand 10 kΩcm si respective siliciu de joasa rezistivitate avand 10Ωcm. Substratul de silicu existent sub aria active a antenelor poate fi indepartat prin corodare reactiva uscata (RIE) su prin corodare umeda. In acest fel se elibereaza membrane subtire dielectrica  pe care sunt suspendate antenele.


(a).


(b)

Rezulltate simulate pentru: (a) pierderi de reflexie la antenna 2x1 pentru siliciu de mare rezistivitate (linie continua) si mica rezistivitate (linie punctata) (b) caracteristica de radiatie 3D pentru structura de antenna.


Retea 3x1 procesata prin corodare umeda (vedere de pe fata si de pe spatele  plachetei.

Montajul experimental de caracterizare a fost dezvoltat in jurul VNA Anritsu 37397D cu modulele de extensie OML pana la 110 GHz


Montajul experimental pentru banda W, din cadrul echipamentului de caracterizare pe placheta


(a).


(b)

 

Pierderile de reflexie masurate (linia continua) si simulate (linia intrerupta) pentru (a) aria de antene 2x1; (b) aria de antene 3x


(a)


(b)

 

 (a) montajul de masura si (b) rezultatele de radiatie pentru reteaua 2x1 procesata pe substrat de inalta rezistivitate.

Proiectare antene pentru 140 GHz

Au fost investigate antene slot dublu foldat pentru 140 GHz procesate pe membrane subtiri microprelucrate.


(a)


(b)


(c)

Antena pentru 140 GHz: (a) vedere 3D a modelului electromagnetic; (b) simulari pentru pierderile de reflexie; (c) simulari pentru castigul antenei functie de frecventa (linie continua = substrat de mare rezistivitate si linie punctata = substrat de joasa rezistivitate)

Rezultate 2012

Au fost crescute CNT prin metoda CVD ; ariile CNT sunt crescute vertical, in marea mojoritate un CNT/insula ceea ce dovedeste un control bun al procesului; sunt zone unde sunt mai multi CNT/insula , dar acest lucru nu afecteaza rolul lor in proiect si anume de a transporta sarcinile electrice acumulate in procesul de actuare spre masa circuitului.


Detalii arie CNT.


Detalii arie CNT.


Proiectare si simulate arii de antene suspendate pe membrana dielectrica subtire microprelucrata pentru front-end-ul de 94 GHz  utilizat in imagistica pasiva

Modelul electromagnetic 3D obtinut cu CST microwave Studio: (a) vedere a ariei de antene 2x1; (b) vedere a ariei de antene 3x1; (c) sectiune transversala in aria de antene 2x1


 

Simularile electromagnetice prezinta rezultate performante - aria de antene 2x1: pierderi de reflexie mai mici de –10 dB intre 84.5 – 106.7 GHz - aria de antene 3x1: pierderi de reflexie mai mici de –8 dB intre 73 – 100 GHz


 

                                          a                                                               b
Rezultatul simularilor pentru pierderile de reflexie: (a) aria de antene 2x1; (b) aria de antene 3x1


                                       a                                   


                                       b                                   

                             Caracteristica de radiatie 3D: (a) aria de antene 2x1; (b) aria de antene 3x1

Modelarea circuitelor RF MEMS pe GaAs


Configuratia  modeluluiv comutatorului dezvoltata in IE3D

 

Vedere 3D a modelului IE3D cu metal gros


 

 

Vedere 3D a modelului IE3D cu pozitiile "sus" si "jos" pentru cele doua comutatoare componente


Comparatie intre parametrii S simulati cu IE3D pentru modele cu straturi metalice subtiri si groase

 

Proiectarea, comutatorului Dicke din front-end-ul pentru 94 GHz (bazate pe tehnologii RF MEMS pe GaAs si/sau SiGe) utilizate in imagistica pasiva


Configuratia comutatorului Dicke in tehnologie pe GaAs (suprapunere masti)


Layout 2D pentru modelul electromagnetic IE3D al comutatorului Dicke



Rezultatele simularilor si masuratorilor pentru comutatorul Dicke in tehnologie GaAs in starea "transmisie" (pierderi de insertie)


Rezultatele simularilor si masuratorilor pentru comutatorul Dicke in tehnologie GaAs in starea "izolare"