 |
|
Rezultate estimate Proiectul aduce contributii la obtinerea si caracterizarea materialelor oxidice dopate cu pamanturi rare (MOx:RE) si cu metale de tranzitie (MOx:TM) sub forma de straturi foarte subtiri (sub 50 nm) pentru aplicatii in dispozitive MOSFET. Elementele de noutate sunt legate de obtinerea unor materiale noi pentru aplicatiile specifice de dispozitive. Proiectul aduce contributii cu caracter fundamental prin studiul acestor materiale din punct de vedere al compozitiei, structuriii, fazelor magnetice, distributiei si orientarii/texturii diferitilor compusi, al defectelor structurale din material si de la interfata cu substratul. In proiect vor fi dezvoltate tehnologii proprii de obtinere a filmelor ultrasubtiri. De asemenea cu caracter de noutate vor fi elaborate modele de material, straturi subtiri model, care vor permite optimizarea parametrilor de material. Modelele vor fi utilizate pentru intelegerea unor aspecte fundamentale ale proprietatiilor fizico-chimice si pentru stabilirea conditiilor tehnologice de obtinere. Modelele de material vor lua in considerare parametrii tehnologici controlabili cum sunt: structura si grosimea filmului, tipul si concentratia de dopant. Filmele oxidice ultrasubtiri sintetizate in cadrul proiectului vor avea structuri complexe la nivel atomic datorita existentei atomilor de substitutie si/sau de aditie, defectelor de tip self-interstitial, vacante de oxigen si dezordine structurala prin ocuparea aleatoare a unor pozitii din retea de catre atomii MT sau RE. De asemenea cu caracter de noutate vor fi modelate/simulate dispozitive MOSFET cu staturi foarte subtiri ai caror parametri vor fi optimizati pentru tipurile de filme ultrasubtiri modelate. In acest mod pot fi obtinute diferite structuri model cu functionalitati specifice, operare clasica sau operare pe baza de spin. ______________________________________________________ |
||||||||||||||||||
 |