¤ Despre proiect
In acest proiect, planificam sa dobandim o intelegere detaliata a conditiilor de crestere folosite in obtinerea materialelor si structurilor GaAsNBi, iar la final, sa reusim obtinerea de materiale corespunzatoare pentru folosirea lor in fabricarea de celule solare de calitate, cu caracteristici definite.
Vom investiga cresterea de retele compatibile de GaNAsBi/GaAs de 1-eV, cu continut scazut de N < 2%, in conformitate cu potentialul acestora de utilizare in celule solare cu banda interzisa intermediara, de mare eficienta. La final, vom incorpora heterostructurile optimizate in celule solare p-(i)-n cu parametri imbunatatiti.
Celulele solare multi jonctiune (MJ) din compusi semiconductori III-V sunt alegerea primara pentru colectarea eficienta a energiei solare.
Cheia pentru cresterea eficientei de colectare la cel mai inalt nivel sta in abilitatea fabricarii heterostructurilor semiconductoare monolitice in configuratie MJ, cu fiecare din jonctiuni optimizata sa colecteze diferite parti ale spectrului solar.
In combinatie cu un concentrator fotovoltaic, celulele solare III-V de inalta eficienta ofera oportunitati atractive pentru tinta de pret ceruta pentru a face energia solara competitiva cu sursele traditionale de energie.
Eficienta celulelor multi jonctiune actuale poate fi crescuta considerabil printr-o conversie eficienta a benzii de radiatie solara cuprinsa intre 0.8 si 1.25 eV.
| Proiectul isi propune in principal dezvoltarea unei noi clase de compusi semiconductori III-V ca de pilda compusii GaNAsBi-pe-GaAs cu energia benzii interzise in jurul a 1-eV precum si cu proprietati electrice, optice si structurale imbunatatite propice pentru implementarea in celule solare de inalta eficienta. |
 |
[Inapoi la pagina principala]
|
