¤ Obiectivele proiectului
Ideea principala a acestui proiect este dezvoltarea aliajelor GaNAsBi.
Acest proiect are două obiective interconectate:
- Creșterea și caracterizarea aliajelor cu grad de dispozitiv 1-eV GaNAsBi acordate ȋn rețea cu substratul de GaAs.
- Proiectarea, creșterea, fabricarea (procesarea) și caracterizarea unei cellule solare p-i-n GaAs+/GaNAsBi/GaAs- pe substrat de GaAs cu aliaje 1-eV (In)GaNAsBi acordate in rețea cu GaAs.
Scopul este de a demonstra că proprietățile aliajelor GaNAsBi și al heterostructurilor lor avansate, crescute pe (001) GaAs, sunt potrivite pentru colectarea eficientă a energiei solare. Intr-adevăr, incă din apariția in literatură a GaAsBi, interesul pentru aceste noi materiale au condus multe grupuri de cercetare internaționale să lanseze acest subiect.
In ciuda acestor rezultate obținute in ultimii 10 ani, numai câteva s-au ocupat cu studiul aliajelor GaNAsBi [Phys. Stat. Sol. (b) 243, 1421 (2006)] și nici-unul cu aliajele (In)GaNAsBi. Mai mult, nici una din rezultatele de cercetare publicate raportează realizarea experimentală a unei cellule solare conținând aliajele de nitruri-antimoniuri diluate ci nu mai despre potrivirea acestor materiale pentru celule solare. Pentru aceste motive, proiectul este original și inovativ.
Celula solară conținând aliajele GaNAsBi, țintind a fi realizată in acest proiect va acționa ca “proof-of-concept” pentru comunitatea științifică. Investigatorul de proiect (PI) are o experiență de durată (mai mult de 10 ani) in creșterea și caracterizarea materialelor din grupul III-N prin MBE, in special a aliajelor de nitruri diluate. Anterior, PI a condos investigații șI a dezvoltat, in cadrul unui proiect recent incheiat, “Development of advanced heterostructures containing III-N nitrides semiconductor compounds used in high-efficiency solar cell”, o metodă (iradiere cu electroni + tratament termic rapid, vezi [Semicond. Sci. Technol. 28, 025020, 2013]) să imbunățățească semnificativ eficiența de emisie a aliajelor 1-eV GaInNAs/GaAs (N>2%), acordate in rețea cu GaAs, presupuse a fi incorporate intr-o celulă tandem cu 3 joncțiuni.
Foarte recent, I s-a acordat PI-ului un proiect internațional, care se ocupă, printre alte obiective, și cu dezvoltarea aliajelor InGaNAs acordate in rețea cu GaAs pentru cellule solare cu bandă intermediară de inaltă eficiență (http://www.imt.ro/N-iBCell). Astfel, pentru PI, proiectul reprezintă eforturi de cercetare continue in domeniul nitrurilor grupului III și al aliajelor acestora.
[Inapoi la pagina principala]
|
