1. O lucrare cu titlul: Effects of growth temperature on properties of ultrathin B(N) layers grown on sapphire by molecular beam epitaxy având ca autori: Emil Mihai Pavelescu 1, Iuliana Mihalache 1, Raluca Gavrila 1, Cosmin Romanitan 1, Octavian Ligor 1, Esperanza Luna 1, Achim Trampert  1, Marius Stoian 1, 1 IMT Bucharest, Romania, 2 PDI Berlin, Germany, a fost prezentată ca poster la Conferinţa 14-th International Conference on Nitride Semiconductors – ICNS 14, Fukuoka, Japonia, 12-17.11.2023.

2. O lucrare cu titlul  “The Influence of Low Boron Concentration on the Structural and Optical Quality of BGaN Compounds Grown on SiC Substrates”, C.Romanitan, J.Mickevičius, F.Comanescu, R.Gavrila, M. Stoian,P.Varasteanu, A.Kadys, T.Malinauskas, and E.M. Pavelescu va fi prezentată ca POSTER în cadrul microsimpozionului MS3-VI: Crystal Growth Techniques al Conferinţei The 18th Conference of the Asian Crystallographic Association (AsCA) 2024. Această conferinţă găzduită în perioada 1-6 Decembrie 2024 în Kuala Lumpur Convention Centre, Malaysia.

3.    O lucrare cu titlul “Tailoring the Emission of Self-Assembled InGaAs Quantum Dots by AlGaAs Submonolayer Insertion”, E.-M. Pavelescu, Per-Erik Vullum, E. Luna, G. Sek, J.P. Reithmaier, has been ACCEPTED as a POSTER PRESENTATION in the microsymposia on MS3-VI: Crystal Growth Techniques for The 18th Conference of the Asian Crystallographic Association (AsCA) 2024. This conference will be held on 1-6 December 2024 at the Kuala Lumpur Convention Centre, Malaysia.

4. Un manuscris cu titlul "Effects of growth temperature on the properties of ultrathin BN layers grown on sapphire by molecular beam epitaxy" Author: Emil-Mihai Pavelescu, Cosmin Romanitan, Iuliana Mihalache, Raluca Gavrila, O Ligor, Marius Stoian, G Craciun, Silviu Vulpe, Alexandru Cosmin Obreja, Vasilica Tucureanu, A.C. Iancu, Cristian Mihail Teodorescu, M. de la Mata, Miriam Herrera Collado, Hans Tornatzky, Sergio Molina, and Esperanza Luna, a fost trimis spre aprobare la APL Materials (Q1 în clasificare AIS), APM24-AR-UWBS2025-00974.

5. Un manuscris cu titlul „Enhancing the Performance of Intermediate Band Solar Cells: A Comparative Study of Lattice Matched GaInNAs and Tensile-Strained GaNAs Solar Cells”, Emil-Mihai Pavelescu, Saroj Kumar Patra, Cosmin Romaniţan,  Alina Matei, Øystein Dahl, Valentin Feieş, Andrei Drăgulinescu, Marian Vlădescu, and Bjorn-Ove Fimland, a fost trimis spre aprobare la Solar Energy Materials and Solar Cells (Q1 în clasificare AIS),  SOLMAT-D-24-01910.

6. Un manuscris cu titlul „Tailoring the Emission of Self-Assembled InGaAs Quantum Dots by AlGaAs Submonolayer Insertion”, E.-M. Pavelescu, Per-Erik Vullum, E. Luna, G. Sek, J.P. Reithmaier va fi trimis curând spre aprobare la prestigiosa publicaţie stiinţifică (Q1 în clasificare AIS) Journal of Applied Crystallography o publicaţie IUCr sub egida căreia se organizează conferinţa AsCA 2024.

7. Un patentintitulat “Procedee de creștere a durității substratului subțire de safir prin depunerea de filme ultrasubțiri de nitrură de bor” Autori: Pavelescu Emil-Mihai,  Romanițan Cosmin, Mihalache Iuliana, Gavrilă Raluca, Ligor Octavian, Stoian Marius-Constantin, Crăciun Gabriel, Vulpe Silviu,  Obreja Cosmin-Alexandru, Țucureanu Vasilica,     cod  CBI 696 din 13.11.2024 a fost trimis spre evaluare la OSIM.

Propuneri de proiect derivate din rezultatele obţinute.

1. O propunere intitulată 'Enhancement of thermal SiC nanostructures using boron based thin layers for neutron detection systems in harsh environments' (Acronym: ETsIC) a fost trimisă spre aprobare la M-ERA.NET call 2023. Din păcate acest proiect nu a primit finanţare.

2.  O propunere de proiect cu titlul „Enhanced proton acceleration in near critical density plasmas by engineering multi-layer targets and applications - HighProtonPLas”a fost trimis spre evaluare la competitia 5.9/5.9.1/ELI-RO, tipul de proiect: Preparation and realization of experiments at ELI-NP. Acest rpoiect a fost finanţat.

3.  Succesul încorporării de B în GaN permite şi inginerizarea strain-ului în compuşi semiconductori de BAlGaN în raport cu substratul de SiC. În acestă direcţie un proiect intitulat „Extreme-UV AlGaN based quantum structures – EUQAS” la competiţia MAPS – Multilateral Academic Projects, Second Swiss Contribution funded by SNSF, Switzerland, este propus spre aprobare şi se află în evaluare la data redactării acestui raport final.