GIGASABAR

 
"Rezonatori de tip SAW si FBAR dedicati aplicatiilor in comunicatii pentru gama 2-6 GHz si in domeniul senzorilor, obtinuti prin tehnici de microprelucrare si nanoprocesare a semiconductorilor de banda larga (GaN si AlN)"
 
 

 

     


Obiectivele proiectului

  • Dezvoltarea tehnologiilor pe semiconductori compusi de banda interzisa alarga (GaN, AlN) pentru realizare de filtre de tip SAW si FBAR cu frecvente de lucru pana la 6 GHz. Aceasta implica devoltarea unor tehnici de microprelucrare si realizarea unor membrane selfsustenabile de AlN si GaN de grosimi de ordinul a 0.5 µm pentru structurile de FBAR si dezvoltarea unor tehnici fotolitografice cu digiti si interdigiti ale IDT de latime de ordinul a 150-300nm pentru SAW;
  • Contributia la cunoastera mai profunda a proprietatilor fizice si a tehnologiei unor materiale noi precum AlN si GaN, inclusiv cresterea straturilor de AlN pe substrat de siliciu, avand un grad de orientare ridicat, precum si microprelucrarea pentru obtinerea membranelor;
  • Modele experimentale de rezonatoare SAW si respectiv FBAR cu frecventa de lucru in domeniul 2-6 GHz pentru utilizarea acestora in aplicatii in domeniul comunicatiilor (WLAN 5.2 GHz si DCS 1.8 GHz, telefonie mobila generatia a 3-a si peste);
  • Model experimental de senzor chimic bazat pe o structura SAW sau FBAR cu frecventa de rezonanta in domeniul 2-6 GHz , utilizand ca strat adsorbant nanotuburi de carbon;