|
Imagine SEM al unei structuri test de SAW cu digiti avand o latime de 250nm. |
|
Detaliu structura test de SAW - linii de 250nm. |
|
a b |
|
c d |
Structuri de FBAR realizate pe membrane subtiri de GaN: a si b - structuri cu electrozi grosi (MoAu); c - structura cu electrozi de Mo; d - fotografie de pe spatele structurii, cu iluminare de sus.
|
|
Analiza 3D WLI a unei structuri FBAR realizata pe membrana de GaN |
|
Analiza 2D WLI a unei structuri FBAR realizata pe membrana de GaN |
|
Analiza WLI a unei structuri FBAR realizata pe membrana de GaN- profilul trasat in lungul liniei de alimentare |
| Realizare model experimental pentru rezonatori SAW interdigitati submicronici pentru 2-6 GHz |
| |
Rezonator SAW pe baza de AlN pe Siliciu, pentru 5 GHz |
S-au realizat structuri de rezonatori SAW fabricati pe straturi subtiri de AlN crescute pe siliciu de mare rezistivitate, cu frecventa de lucru ~ 5GHz. Acestia sunt rezonatori cu doua porti formati din doi traductori interdigitati identici (IDT), avand in lateral reflectori distribuiti. IDT-urile si reflectorii au digiti si interdigiti de latime 300 nm, obtinuti prin nano-litografie cu fascicol de electroni. |
Structura SAW pe AlN cu detaliu IDT (imagine SEM)
|
-
Fiecare IDT are 40 digiti (20 de perechi) avand o latime de 300 nm (periodicitatea spatiala este λ = 1.2 µm); distanta intre marginile IDT-urilor 30.3 µm (103 λ/4).
-
IDT-urile au fost realizate utilizand unui proces de nano-litografiere cu « scriere » direct pe placheta cu fascicol de e- (echipament Raith GmbH)
|
Caracterizarea in microunde |
|
Masuratorile de transmisie pentru o structura SAW pe AlN/Si : variatia S21 cu frecventa |
|
Conductanta de intrare masurata pentru un IDT (axa stanga; curba cu patrate) si respectiv susceptanta acestuia (axa dreapa; curba cu cercuri) obtinute din masuratori parametrul S11
|
Rezonatori SAW pe baza de GaN/Si, pentru frecvente >5 GHz
|
Au fost realizate structuri SAW pe GaN/Si avand frecventa de lucru ~ 6GHz. Folosind tehnologia avansata a nanolitografierii, s-au realizat diferite structuri de SAW avand 30 de digiti si distanta interdigiti de 200 nm. Lungimea digitilor este de 50 μm. Lateral sunt amplasati reflectori avand 60 digiti si 60 interdigiti, la 2 μm de fiecare IDT
Structurile test constau in doua structuri IDT plasate fata-in-fata la patru distante diferite: d= 20µm, 100 µm, 200 µm and 600 µm. Fiecare structura interdigitata are 30 de digiti si 30 interdigiti. |
|
Imagine SEM a unei structuri SAW pe GaN/Si; inset cu schema intregii structuri |
Caracterizarea in microunde
|
Pierderile de reflexie (S11) in functie de frecventa pentru 3 structuri avand distante diferite intre IDT-uri in comparatie cu rezultatele simularii electromagnetice
|
Masuratorile de transmisie pentru o structura SAW ; IDT-uri la o distanta d=20 µm |
Masuratorile de transmisie pentru o structura SAW ; IDT-uri plasate la d=100 µm
|
Masuratorile de transmisie pentru o structura SAW; IDT-uri la o distanta d=202 µm
|
Masuratorile de transmisie pentru o structura SAW ; d=600 µm
|
