FUNCTII
   
ACTIVITATEA ŞTIINŢIFICĂ
 
CONTRIBUŢII ŞTIINŢIFICE – PRIORITĂŢI
 
LUCRĂRI PUBLICATE
 

 


Mihai N. Mihaila, Membru corespondent al Academiei Romane

********************************************************

Dr. Mihai Mihaila ([email protected])

Născut la data de 27 decembrie 1948 în (atunci) comuna Faraoanele, judeţul Vrancea.

STUDII

Studii primare în satul natal (1955–1959); studii gimnaziale în satul Dălhăuţi (1959–1962); absolvent ca şef de promoţie, cu nota maximă la bacalaureat, al Liceului „Alexandru Ioan Cuza” din Focşani în anul 1966; absolvent al Facultăţii de Electronică şi Telecomunicaţii, secţia ingineri-fizicieni, în anul 1971.

TITLURI ŞTIINŢIFICE

1997 – doctorat în Dispozitive şi circuite electronice (sub conducerea acad. Mihai Draganescu), Facultatea de Electronică şi Telecomunicaţii a Universităţii „Politehnica” Bucureşti, cu teza ”Originea zgomotului 1/f. Limite fizice fundamentale datorate zgomotului 1/f. O noua metoda de spectroscopie”.
1999 – membru corespondent al Academiei Române

FUNCTII

1971–1975: inginer stagiar/inginer la Centrul de Cercetare pentru Componente Electronice – Bucureşti; 1975–1980: cercetător ştiinţific; 1980–1990: cercetător ştiinţific principal gradul III la Institutul de Cercetare pentru Componente Electronice (ICCE)-Bucureşti; 1990–1996; cercetător ştiinţific principal gradul II la ICCE-Bucureşti; 1996–1998: cercetător ştiinţific principal gradul II la Institutul Naţional pentru Microtehnologie – Bucureşti; 1998–2003: cercetător ştiinţific principal gradul I la Institutul Naţional pentru Microtehnologie; 2003-2015 – senior principal scientist la Honeywell Laboratories (filiala România); 2015 – prezent: cercetător ştiinţific gradul I la Institutul Naţional pentru Microtehnologie – Bucureşti.

ACTIVITATEA ŞTIINŢIFICĂ

1971–1981: Centrul de Cercetare pentru Componente Electronice – Bucureşti; Institutul de Cercetare pentru Componente Electronice (ICCE) – Bucureşti
Activităţi în domeniul proiectării, tehnologiei şi testării tranzistoarelor bipolare cu siliciu de mică putere, joasă frecvenţă şi zgomot redus; „întâlnire” cu procesele de zgomot electronic, care împiedicau obţinerea de dispozitive cu performanţe corespunzatoare; investigaţii asupra mecanismelor de zgomot de explozie, stabilirea de legături între acesta şi defectele de cristal (dislocaţii, defecte de împachetare, defecte punctuale, impurităţi metalice etc.); introducerea unor procedee de control al defectelor de cristal („defect engineering”), cum ar fi gheterarea pe spatele plachetei prin stres elastic, prin implantare cu atomi de argon sau prin precipitare controlată a oxigenului în siliciu (gheterare intrinsecă); iniţiative şi participare la introducerea, de către profesorul Marius Petraşcu (IFIN) şi grupul domniei sale, a unor procedee de profilare a oxigenului şi carbonului în siliciu prin metode de analiză cu fascicule accelerate de ioni grei şi a unor procedee de identificare a impurităţilor metalice în siliciu prin metode de analiză cu ajutorul razelor X, excitate prin bombardament cu protoni; aplicarea acestei metode la identificarea surselor de contaminare cu impurităţi nedopante în laboratoarele de tehnologie ale ICCE; introducerea în laboratoarele ICCE a metodei DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) de investigare a nivelelor adânci; colaborare cu cercetători de la IFE-Halle (acum, „Max Planck Institute”) în vederea caracterizării defectelor de cristal prin microscopie electronică de baleiaj şi de transmisie.

1982–1993: Institutul de Cercetare pentru Componente Electronice (ICCE) – Bucuresti
Investigaţii asupra mecanismelor microscopice care guvernează fenomenele de fluctuaţii în tranzistorul bipolar, în particular, şi în corpul solid, în general; calcul şi studii statistice asupra parametrului de fluctuaţie a mobilităţii golurilor în tranzistoare bipolare npn; investigaţii asupra dependenţei de temperatură a parametrului de fluctuaţie a mobilităţii in filme de cupru, argint şi aur; măsurători de zgomot în funcţie de temperatura în filme discontinue de platină cu grosime nanometrică (7nm); măsurători de zgomot electronic în gaz electronic bidimensional (High Electron Mobility Transistors); interpretare structură în termenii energiilor de vibraţie (fononi) ale atomilor de volum şi/sau de suprafaţă; elaborarea metodei superpoziţiei densităţilor de stări fononice; introducerea metodei de spectroscopie de fononi in solid prin măsurători de fluctuatii cu spectru 1/f ale conductivitatii.

1994–2003: Institutul de Cercetare pentru Componente Electronice (ICCE) – Bucuresti şi Institutul Naţional de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologie (IMT) – Bucureşti
Investigaţii asupra surselor fundamentale de zgomot electronic cu spectru 1/f; investigaţii asupra originii microscopice a parametrului de fluctuaţie a mobilităţii; investigaţii asupra mecanismelor de fluctuaţie în filme de nanoparticule de platină şi carbon; tentative de realizare a unui sistem de spectroscopie de fononi prin măsurători de fluctuaţii.

2003–2015: Honeywell Laboratories–Advanced Technology Center/Sensors Laboratory (filiala România)
Introducerea spectroscopiei de fononi (proiect de idei disruptive) prin măsurători de fluctuaţii in Laboratoarele Honeywell; realizarea unui sistem de spectroscopie de fononi prin măsurători de fluctuaţii; patentarea metodei si sistemului de spectroscopie; dezvoltarea metodei de spectroscopie de fononi prin aplicarea ei la caracterizarea nanomaterialelor (nanotuburi de carbon – colaborare cu Univ. Cambridge şi nanofire de siliciu – proiect european, nanoparticule de carbon si oxizi metalici) si la identificare moleculara (sensing); activităţi de cercetare-dezvoltare şi patentare în proiecte de idei disruptive şi de tehnologii emergente; cercetare-dezvoltare şi patentare în domeniul mecanismelor de sensing, nanosensori şi celule solare pe bază de „dot”-uri cuantice şi cromofori organici.

2015 – prezent: Institutul Naţional de Cercetare-Dezvoltare pentru Microtehnologie (IMT) – Bucureşti
Activităţi în domeniul caracterizării interfeţei SiO2/4H-SiC, a 4H-SiC şi nanomaterialelor carbonice cu urme de fulerenă prin spectroscopie de fluctuaţii; activităţi de cercetare şi patentare în domeniul celulelor solare cu cromofori organici (colaborare cu Institutul „Petru Poni” de Chimie Macromoleculară – Iaşi al Academiei Române); mecanisme de transfer de sarcină la interfaţa moleculă-oxid metalic; investigaţii asupra sursei universale de zgomot 1/f în solid şi dispozitive electronice pe corp solid – extindere la cazul izolatorilor topologici.

CONTRIBUŢII ŞTIINŢIFICE – PRIORITĂŢI

19841985: descoperirea rezonanţelor fononice în fluctuaţii cu spectru 1/f (tranzistor bipolar, Physics Letters, 1984, şi filme de metale nobile, Physics Letters, 1985); în acest fel, „phonon participation into the 1/f noise was born out in a very interesting paper by Mihaila.” (Kousic, van Vliet, Handel, Bosman, Advances in Physics 34, 663, 1986).
În 1987, aceste contribuţii au fost premiate cu Premiul pentru fizică „Dragomir Hurmuzescu” al Academiei Române pe anul 1985. În referatele de prezentare se menţiona:
„Este evident că ne găsim în faţa unor lucrări care aduc contribuţii fundamentale în cunoaşterea proceselor din corpul solid, cu implicaţii din cele mai importante pentru comportamentul dispozitivelor electronice şi circuitelor integrate. Puţini au şansa (dar ca rezultat al unei munci şi al unui talent deosebite) de a descoperi un fapt atât de nou şi a contribui la explicarea unui fenomen care aşteaptă de patru decenii elucidarea.” (Academician Mihai Drăgănescu)
„Avem arareori ocazia de a [.....] lua în considerare lucrari ce constituie cu adevărat descoperiri fundamentale în ale fizicii. Arareori, de asemenea, astfel de lucrări trezesc imediat o apreciere entuziastă. În sfârşit, arareori, deşi mai des în timpul din urmă – vezi cazul lui K. von Klitzing – astfel de descoperiri s-au făcut cercetând comportarea unui dispozitiv realizat industrial. Lucrările mai jos enumerate ale ing. Mihăilă îndeplinesc aceste trei condiţii.” (Academician Radu Grigorovici)
„Descoperirile inginerului Mihăilă privind originile zgomotului 1/f în dispozitive semiconductoare prezintă o importanţă deosebită atât din punct de vedere ştiinţific, [....], cât şi tehnologic. Astfel, prin înţelegerea mecanismelor fizice fundamentale care stau la baza unuia din cele mai limitative fenomene ale dispozitivelor microelectronice avansate (VLSI), performanţele acestora se pot extinde peste nivelurile estimate anterior. Se citează, printre altele, faptul că mult-folositele procese termice de refacere a perfecţiunii cristalelor semiconductoare se pot explica, pe baza acestor cercetări, ca având caracter rezonant, determinat de starea intrinsecă de vibraţie a atomilor reţelei.” (Dr. C.D. Bulucea).

1986: demonstrarea, pentru prima oară, a caracterului spectroscopic al parametrului de fluctuaţie a mobilităţii; folosindu-se această proprietate, s-au determinat energiile fononice ale modurilor de vibraţie care participă la procesele de recombinare în siliciu dopat cu fosfor, punându-se astfel bazele spectroscopiei de zgomot 1/f. În acest fel, rezultatele obţinute prin măsurători pe tranzistorul bipolar au condus la descoperirea unei legături directe între procese cuantice fundamentale în corpul solid şi zgomotul 1/f.

1987: observarea pragurilor de excitare specifice modurilor de vibraţie ale atomilor (fononi) în densitatea spectrală însăşi; acest rezultat a stabilit existenţa în zgomot 1/f a unui efect analog efectului Franck-Hertz.

1991: observarea fononilor de suprafaţă şi de volum în fluctuaţii cu spectru 1/f ale conductivităţii filmelor metalice discontinue. S-a demonstrat astfel că vechea controversă suprafaţă–volum ca sursă de zgomot 1/f este irelevantă din punct de vedere microscopic. Acest rezultat a stat la baza elaborării metodei superpoziţiei densităţilor de stări fononice (PDOS).

1995: identificarea mişcărilor longitudinală şi verticală (unde Rayleigh) ale atomilor de suprafaţă ca surse microscopice fundamentale de zgomot 1/f în solid; aceste rezultate au demonstrat că zgomotul 1/f este un fenomen fizic fundamental generat de mişcarea perpetuă de agitaţie termică a atomilor.

1999: prima interpretare fizică a parametrului de fluctuaţie a mobilităţii, conform căreia acesta este imaginea funcţiei de densităţi de stări fononice (sau funcţia Eliashberg); pe baza acestei interpretări, s-a observat, pentru prima oară, că dependenţa de temperatură a parametrului de fluctuaţie a mobilităţii în metale şi semiconductoare este imaginea spectrului de vibraţie termică a atomilor.

2004: realizarea şi patentarea (2009) în Laboratoarele Honeywell a primului sistem de spectroscopie de fononi din măsurători de spectre 1/f. Cu ajutorul acestuia, a aplicat metoda de spectroscopie de fononi din măsurători de fluctuaţii la obţinerea spectrelor de vibraţie termică ale atomilor nanomaterialelor (nanotuburi şi nanoparticule de carbon), nanostructurilor (nanofire individuale de siliciu şi nanopunţi metalice) şi moleculelor (recunoaştere moleculară/”sensing”). A patentat ideea că metoda poate fi folosită la obţinerea spectrului de vibraţie termică al atomilor unei singure molecule (confirmată ulterior de alţii).

2019: prima dovadă experimentală a faptului că elementul de matrice al interacţiei electron-fonon este sursă microscopică de zgomot 1/fx în solid; observarea structurii fononice în exponentul frecvenţei (x), care arată că spectrul 1/f este ascuns în zgomot termic până la frecvenţele de vibraţie termică a atomilor, adică până în regiunea de frecvenţe în care este valabilă legea lui Planck a radiaţiei corpului negru. În consecinţă, zgomotul 1/f nu este fenomen de joasă frecvenţă, aşa cum se considera de aproape un secol (1925).

LUCRĂRI PUBLICATE

  • Asupra zgomotului de explozie în tranzistoare bipolare cu siliciu (în colaborare cu O. Popescu). EEA Automatica şi Electronica 22, p. 132-136, 1978.
  • Curenţi în exces şi zgomot de explozie în tranzistoare bipolare cu siliciu (în colaborare cu M. Badilă). EEA Automatica şi Electronica 23, p. 1-5, 1979.
  • Efecte tunel în joncţiuni care generează zgomot de explozie. EEA Automatica şi Electronica 23, p. 53-57, 1979
  • Asupra relaţiei zgomot de joasă frecvenţă-câştig static în current (hFE) în tranzistoare bipolare cu siliciu. EEA Automatică şi Electronică 23, p. 89-93, 1979.
  • Corelaţii calitative zgomot-defecte cristalografice în tranzistoare bipolare cu siliciu. EEA Automatica şi Electronica 24, p. 9-12, 1980.
  • Influenţa condiţiilor de difuzie a emitorului asupra zgomotului de joasă frecvenţă al tranzistoarelor bipolare. EEA Automatica şi Electronica 24, p. 49-53, 1980.
  • Efectul dopării emitorului asupra zgomotului de joasă frecvenţă al tranzistoarelor bipolare, EEA Automatica şi Electronica 25, p. 1, 1981.
  • Asupra generalităţii relaţiei hFE~IC1/3 în tranzistoare bipolare cu siliciu (în colaborare cu A. Angelescu, A. Olariu). EEA Automatica şi Electronica 25, p. 35-37, 1981.
  • A direct correlation between low-frequency noise and the crystallographic defects in silicon bipolar transistors. Revue Roumaine de Physique, tome 23, p. 975-977, 1981.
  • Low-frequency noise due to emitter-edge dislocations in npn bipolar transistors (in colaborare cu K. Amberiadis, A. van der Ziel,). în Noise in Physical Systems, M. Savelli, G. Lecoy, J-P. Nougier (editors), Elsevier Sci. Publ., p. 433, 1983.
  • Metodă pentru analiza şi profilarea impurităţilor de bor, carbon şi oxigen în plachete de siliciu prin atomi de recul în fascicul de ioni grei (în colaborare cu M. Petraşcu şi alţii). Studii şi cercetări de fizică 36, p. 467, 1984.
  • Metodă de identificare a impurităţilor în plachete de siliciu prin atomi de recul în fascicul de 63Cu (în colaborare cu M. Petraşcu şi alţii). Studii şi cercetări de fizică 37, p. 772, 1985.
  • Mobility fluctuation 1/f noise in bipolar transistors. Revue Roumaine de Physique, tome 31, p. 607-610, 1986.
  • Phononic structures in the 1/f noise parameter of gold films. Noise in Physical Systems, P. Mazzetti and A. D'Amico (editors), Elsevier Sci. Publ., p. 437-440, 1986.
  • Lattice vibrations in silicon by 1/f noise spectroscopy. Noise in Physical Systems, P. Mazzetti and A. D'Amico (editors), Elsevier Sci. Publ., p. 433-436, 1986.
  • A possible fundamental property of the 1/f noise in condenced matter systems. Noise in Physical Systems, C.M. van Vliet (editors), World Scientific, p. 343-346, 1987.
  • Zgomot de joasă frecvenţă indus de defecte cristalografice în tranzistoare bipolare cu siliciu. în „Microelectronica", M. Drăgănescu, D. Dascălu, Gh. Brezeanu (editori), Editura Academiei, vol. XV, p. 196, 1987.
  • Surse neradiative de zgomot "flicker" în tranzistorul bipolar. EEA Automatica şi Electronica 33, 26, 1989.
  • Investigaţii prin microscopie de baleiaj şi de transmisie asupra defectelor cristalografice care afectează zgomotul tranzistorului bipolar (în colaborare cu H. Blumtritt, R. Gleichmann şi alţii). EEA Automatica şi Electronica 34, p. 17, 1990.
  • Surface and bulk phonon fingerprints in the 1/f noise of discontinuous platinum films (în colaborare cu A. Stepanescu, A. Masoero). Revue Roumaine de Physique, tome 36, p. 803-806, 1991.
  • Phonon fingerprints in the 1/f noise of discontinuous platinum films (in colaborare cu A. Stepanescu, A. Masoero). invited paper, Noise in Physical Systems and 1/f Noise, T. Musha, S. Sato, M. Yamamoto (editors), Ohmsha Ltd. and Elsevier Sci. Publ., p. 17-22, 1991.
  • Adsorbate-induced infrared shift in the 1/f noise of discontinuous platinum films (în colaborare cu A. Masoero, A. Stepanescu). Noise in Physical Systems and 1/f Noise, P. H. Handel and A.L. Chung (editors), American Institute of Physics Press vol. 285, p. 53-56, 1993.
  • A possible fundamental property of the 1/f noise in condensed matter systems. in Noi Cercetări în Microelectronică, D. Dascălu şi Gh. Brezeanu (editori), Editura Academiei 17, p. 51-55, 1994.
  • Longitudinal motion of surface atoms generates 1/f noise in discontinuous platinum films (în colaborare cu A. Stepanescu, A. Masoero). Noise in Physical Systems and 1/f Noise, V. Bareikis, R. Katilius (editors), World Scientific, p. 307-310, 1995.
  • Relaxation Mechanisms in 2D Electron Gas and Origin of 1/f Noise in HEMT's (în colaborare cu C. Heedt, F.J. Tegude). Proc. Int. Conf. on Microelectronics, N. Stojadinovic (editor), IEEE Press, p. 447-452, 1995. Best Paper Award from Microelectronics Journal
  • Nonlinear effects in the 1/f noise of lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMT's (în colaborare cu C. Heedt, F.J. Tegude). în Quantum 1/f Noise and Other Low-Frequency Fluctuations in Electronic Devices, P.H. Handel and A.L. Chung (editors), American Institute of Physics Press 371, p. 127-133, 1996.
  • 1/f Noise Phonon Spectroscopy in InAlAs/InGaAs HEMT's (în colaborare cu A.-P. Mihaila). Noise in Physical Systems and 1/f Noise, C. Claeys and E. Simoen (editors), World Scientific, p. 51, 1997.
  • Enhanced 1/f Noise Induced by Atomic Rayleigh Waves in Discontinuous Platinum Films (în colaborare cu A.-P. Mihailă). Unsolved Problems of Noise, Ch. Doering, L.B. Kiss, M. Shlesinger (editors), World Scientific, p. 81, 1997.
  • Experimental evidence of giant fluctuations in the electrical response of very thin SiO2 films (în colaborare cu C. Cobianu şi alţii), Eurosensors XII, N.M. White (editor), Institute of Physics Publishing, p. 469-472, 1998.
  • Image of lattice vibration spectrum in the 1/f noise of semiconductors. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, C. Surya (editor), Bentham Press-London, p. 146, 1999.
  • 1/f noise phonon spectroscopy. New Trends in Modern Physics and Electronics, volum publicat de Universitatea „Hyperion” în onoarea prof. Leo Esaki (Nobel Prize), vol. 1, nr.1, p. 63-67, 2000.
  • Phonon induced 1/f noise in MOS transistors. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, G. Bosman (editor), World Scientific, p. 169, 2001.
  • On the microscopic origin of 1/f noise in lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMTs (în colaborare cu C. Heedt, F.- J. Tegude). Proceedings of the Romanian Academy, series A 2, 2001.
  • Nonlinear effects in the 1/f noise of a 2DEG electron gas (în colaborare cu F. Scheffer, C. Heedt. F.- J. Tegude). în Large Scale Systems – Theory and Applications, F. Filip (editor), Elsevier Science, p. 319-324, 2002.
  • Low-Frequency Noise in Nanomaterials and Nanostructures. chapter 17 în Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices”, A.M. Balandin (editor), American Scientific Publishers, p. 367-385, 2002. http://www.aspbs.com/noise.html
  • Nonlinear conduction in platinum nanoparticle films (în colaborare cu C. Grigoriu şi alţii). Proc. of the Romanian Academy, series A 4, 2003.
  • Substrate-induced 1/f Noise in Platinum Nanoparticle Films (în colaborare cu D. Ursuţiu, C. Grigoriu şi alţii). în Noise and Fluctuations, J. Sikula (editor), p. 131-134, 2003.
  • Low-Frequency Noise in Nanomaterials and Nanostructures. în The Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, H.S. Nalwa (ed.), American Scientific Publishers, vol. 4 , p. 649-666, 2004.
  • A piezoresistive pressure sensor comprising a plastic package (în colaborare cu C. Cobianu, S. Shiffer şi alţii). World International patent application WO 2007/044307 A1; pub. date: 19 April, 2007.
  • Pressure sensor (în colaborare cu C. Cobianu, S. Shiffer şi alţii). United States patent application US 2007/00774577A1; pub. date: Apr. 5, 2007.
  • System of phonon spectroscopy. United States patent application US 2008/0024113A1, pub. date: January 31, 2008.
  • Method and Apparatus for Molecular Identification. Aplicatie patent Romania A/00561/2008, înregistrat: 21 iulie, 2008.
  • Pressure sensor (în colaborare cu C. Cobianu, S. Shiffer şi alţii).United States granted patent, US 2008/7,318,351B2 ; pub date: January 15, 2008.
  • Solar cell having hybrid heterojunction structure (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). United States patent application US2008/250033A1; pub. date: Oct. 13, 2008.
  • Matrix nanocomposite containing aminocarbon nanotubes for carbon dioxide SAW/BAW detection (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2008/0264147 A1, pub. date: Oct. 30, 2008.
  • Solar cell hyperpolarizable absorber (în colaborare cu B. Serban). United States patent application, US 2009/0159124 A1; pub. date: June 25, 2009.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2009 0211634 A1; pub. date: Aug. 27, 2009.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2009/0260682 A1; pub. date: Oct. 22, 2009.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2009/0260683 A1; pub. date: Oct. 22, 2009.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2009/0283142; pub. date: Nov. 19, 2009.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). United States patent application, US 2010/0012168 A1; pub. date: Jan. 21, 2010.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2010/0012191 A1; pub. date: Jan. 21, 2010.
  • Solar cell having hybrid heterojunction structure and related system and method (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). United States patent application, US 2010/0051092 A1; pub. date: Mar. 4, 2010.
  • Solar cell having hybrid heterojunction structure and related system and method (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). European patent application EP 2 172 986 A1, Bulletin 2010/14 ; publication date: April 07, 2010.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2010/0193025 A1; pub. date: Aug. 5, 2010.
  • Quantum dor solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent application EP 2 216 825 A2, Bulletin 2010/32; publication date: August 11, 2010.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2010/0193026 A1; pub. date: Aug. 5, 2010.
  • Functionalized monolayers for carbon dioxide detection by a resonant nanosensor (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). United States patent application, US 2011/0116974 A1; pub. date: May 19, 2011.
  • Functionalized monolayers for carbon dioxide detection by a resonant nanosensor (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). European patent application EP2 327 983 A2, Bulletin 2011/22 ; publication date: Jan. 06, 2011.
  • Differential resonators for NO2 detection and methods related threto (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). United States patent application, US 2011/0143447 A1; pub. date: June 16, 2011.
  • Differential resonators for NO2 detection and methods related thereto (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). European patent application EP2 333 531 A1, Bulletin 2011/24 ; publication date: June 15, 2011.
  • Carbon dioxide sensor with functionalized resonating beams (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). United States patent application, US 2011/0138878 A1; pub. date: June 16, 2011.
  • Carbon dioxide sensor with functionalized resonating beams (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). European patent application EP2 333 532 A1, Bulletin 2011/24 ; publication date: June 15, 2011.
  • SO2 detection using differential nano-resonators and methods related threto (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). United States patent application, US 2011/0143448 A1; pub. date: June 16, 2011.
  • SO2 detection using differential nano-resonators and methods related thereto (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). European patent application EP2 336 755 A1, Bulletin 2011/25 ; publication date: Nov. 06, 2011.
  • Differential resonant sensor apparatus and method for detecting relative humidity (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). United States patent application, US 2011/0239759 A1; pub. date: Oct. 6, 2011.
  • Differential resonant sensor apparatus and method for detecting relative humidity (în colaborare cu B. Serban, C. Cobianu şi alţii). European patent application EP2 378 285 A1, Bulletin 2011/42 ; publication date: Oct. 19, 2011.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent application EP2 216 825 A3, Bulletin 2011/19; publication date: May 11, 2011.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 148 632 B2; pub. date: April 3, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 227 686 B2; pub. date: July 24, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent No. 8 227 687 B2; pub. date: July 24, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent No. 8 227 687 B2; pub. date: July 24, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 283 561 B2; pub. date: Oct. 9, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 288 649 B2; pub. date: Oct. 16, 2012.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 299 355 B2; pub. date: Oct. 30, 2012.  
  • Carbon dioxide sensor (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2012/016029 A1; pub. date: June 28, 2012.
  • Fluorescent quenching based oxygen sensor (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2012/ 01614031 A1; pub. date: June 28, 2012.
  • Fluorescent polymers for oxygen sensing (în colaborare B. Serban şi alţii). United States patent application, US 2012/ 0141807 A1; pub. date: June 7, 2012.
  • Cantilevered carbon dioxide sensor (în colaborare B. Serban şi alţii). European patent application EP 2 469 275 A1; pub. date: June 27, 2012.
  • Fluorescent polymers for oxygen sensing (în colaborare B. Serban şi altţi). European patent application EP 2 461 155 A1, Bulletin 2012/23; pub. date: June 06, 2012.
  • Fluorescence quenching based oxygen sensor (în colaborare B. Serban şi alţii). European patent application EP 2 461 154 A1, Bulletin 2012/23; pub. Date: June 06, 2012.
  • Fluorescent polymers for oxygen sensing (în colaborare cu B. Serban şi alţii). Granted European patent EP2 461 155 B1, Bulletin 2012/42 ; pub. Date: Oct. 17, 2012.
  • Oxygen sensors based on hard-soft acid-base relationship (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent application EP 2 610 609 A1; pub. date: July 3, 2013.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent 8 373 063 B2; granted: February 12, 2013.
  • Composition and method for preparing a fluorescence quenching based sensor comprising the composition (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent - granted, EP 2 461 154 B1, Bulletin 2013/11; granted: March 13, 2013.
  • Solar cell having hybrid hetero junction structure (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). European patent - granted, EP 2 172 986 B1, Bulletin 2013/34; granted: August 21, 2013.
  • Solar cell having a hybrid heterojunction structure and related systems and methods (în colaborare cu V. Dumitru şi alţii). Japanese patent granted JP534505B2; granted: Nov. 06, 2013.
  • Marcus-like electron transfer functions at cromophore-TiO2 interface (în colaborare cu C. Diaconu şi alţii). în Nanoenergy Symposia vol. 12: Hybrid and Organics Photovoltaics Conference in Seville, edited by R.A.J. Janssen (SEFIN, Castelló), p. 215-220, 2013.
  • Ab initio, possible predictor for DSSC efficiency (în colaborare cu C. Diaconu şi alţii). în Nanoenergy Symposia vol. 12: Hybrid and Organics Photovoltaics Conference in Seville, Spain, edited by R.A.J. Janssen (SEFIN, Castelló), p. 221-224, 2013.
  • Quantum dot solar cell (în colaborare cu B. Serban şi alţii); European patent application EP 2 216 839 A3, Bulletin 2014/04; pub. date: January 22, 2014.
  • Dye sensitized solar cells and methods of making same (în colaborare cu B. Serban). European patent application EP 2 731 115 A1, Bulletin 2014/20; publ. date: May 14, 2014.
  • Nanosensors and methods of operating nanosensors (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent application EP 2 755 022 A1, Bulletin 2014/29; publ. date: July 16, 2014.
  • Carbon dioxide sensor (în colaborare cu B. Serban şi alţii). United States patent - granted, US Patent number 8 826 724 B2; granted: September 9, 2014.
  • Dye sensitized solar cells and methods of making same (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent - granted, EP 2 731 115 B1; granted: October 22, 2014.
  • Dye-sensitized solar cells and method of making same (în colaborare cu B. Serban, C. Diaconu şi alţii). European patent application EP2 838128 A1, Bulletin 2015/08; pub. date: February 18, 2015.
  • Sensing layer for oxygen detection (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent application EP2848927 A1, Bulletin 2015/12; publ. date: March 18, 2015.
  • Cantilevered carbon dioxide sensor (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European granted patent EP 2 469 275 B1; granted: December 23, 2015.
  • Dye-sensitized solar cells and methods of making same (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent granted, EP 730 622 B1; granted: February 3, 2016.
  • Dye-sensitized solar cells and methods of making same (în colaborare cu S. Bogdan şi alţii). European patent granted EP2 838 128 B1; granted: January 6, 2016.
  • Nanosensor (în colaborare cu B. Serban). European patent - granted EP 2 755 022 B1; granted: May 30, 2018.
  • Oxygen fluorescence quenching sensor, detector comprising the sensor, and method for producing the sensor (în colaborare cu B. Serban şi alţii). European patent granted, EP 2 610 609 B1; granted: Oct. 10, 2018.
  • Cromofor şi celulă solară (în colaborare cu M.-D. Dămăceanu, C.-P. Constantin şi alţii). Aplicaţie patent România No. 133898 A2; publicat: 2020.

 

   

top of page

Last update: September, 2021